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明水涂层介电常数测定仪生产商

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明水涂层介电常数测定仪生产商

发布用户:Bgjy 时间:2021-10-25 18:48

明水涂层介电常数测定仪生产商

流体排出法在电容率近似等于试样的电容率,而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量,这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时,试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去

数输入要满4位。例:要输入79.5P,按二次此键,电容指示数在闪烁,然后输入0795。指示数在闪烁有效数后为0的,可以不输入直接再按一下此键完成设置。然后输入按一下此键完成设置。第二次按下(电容指示数在闪烁)为电容数输入。

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技术参数:Q值测量.Q值测量范围:2~1023。

Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。

标称误差

     频率范围(100kHz~10MHz):  频率范围(10MHz~160MHz):

     固有误差:≤5%±满度值的2%  固有误差:≤6%±满度值的2%

     工作误差:≤7%±满度值的2%  工作误差:≤8%±满度值的2%

电感测量范围:4.5nH~7.9mH电容测量:1~205

 主电容调节范围:18~220pF

 准确度:150pF以下±1.5pF;  150pF以上±1%

 注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明

 信号源频率覆盖范围频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2:  1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1  :100~160MHz,

Q合格指示预置功能:      预置范围:5~1000。

正常工作条件 环境温度:0℃~+40℃;相对湿度:<80%;电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

其他消耗功率:约25W;净重:约7kg;外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

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松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分,油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷,尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷,金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大。陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体,多品型转变等。

能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计 在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。

Q值量程递减(手动方式时有效)/数字3按键,先按12键后,再按此键,功能为数字Q值量程递增(手动方式时有效)/数字4按键,先按12键后,再按此键,功能为数字。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。

电气测量按本标准或所使用的仪器(电桥)制造商推荐的标准及相应的方法进行。

如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠。测试注意事项本仪器应水平安放以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

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安全注意事项:开机之前,敬请仔细阅读本 使用指南,以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前,请阅读“安装与设置”,保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前,务必请有操作经验的人员进行指导,防止误操作造成意外事件的发生。电击危险确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电,防止在带电情况下,对人员或设备造成伤害。陶瓷材料的损耗。

数输入要满4位。例:要输入79.5P,按二次此键,电容指示数在闪烁,然后输入0795。指示数在闪烁有效数后为0的,可以不输入直接再按一下此键完成设置。然后输入按一下此键完成设置。第二次按下(电容指示数在闪烁)为电容数输入。

并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。

工作频段选择/数字1按键,每按一次,切换至低一个频段工作,先按12键后,再按此键,功能为数字。

为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差。使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差,被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上。

应地测量厚度,使偏差在士(2%士。.005 mm)以内,测量点应均匀地分布在试样表面。必要时,应测其有效面积。

工作频段选择/数字1按键,每按一次,切换至低一个频段工作,先按12键后,再按此键,功能为数字。

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表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插人电极系统中测量,在这个电极系统中,试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。

按此键显示屏第四行左部出现SWEEP时,表示仪器正工作在频率自动搜索被测量器件的谐振点,如需退出搜索,再按此键,先按12键后,再按此键,功能为数字谐振点频率搜索/数字5按键。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

工作频段选择/2按键,每按一次,切换至高一个频段工作,先按12键后,再按此键,功能为数字。

并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。

能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

主要技术特性:

试验时的温度和相对湿度以及试样的温度,施加的电压,施加的频率,相对电容率ε(平均值)。

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RS232 仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。

Q值量程自动/手动控制方式选择/数字8按键,按此键后,显示屏第四行左部出现对应的指示:AUTO(自动),MAN(手动),先按12键后,再按此键,功能为数字。

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好 。电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为。

DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。

测量

J=dD/dt=d(/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗,Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。

由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。介质损耗:绝缘材料在电场作用下。

试验时的温度和相对湿度以及试样的温度,施加的电压,施加的频率,相对电容率ε(平均值)。

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ω=σE2在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小J之间的相位关系J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为。

其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。概念:电介质在外电场作用下介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能。

装置瓷,电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据,仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用,多用途,多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路。主要技术特性:介质损耗和介电常数是各种电瓷使得调谐测试回路的残余电感减至低。

其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。概念:电介质在外电场作用下介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能。

试样上不加电极

测试装置符合国标GB/T 1409-20美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。

在1MHz或更高频率下,减小接线的电感对测量结果的影响。此时,可采用同轴接线系统,当用变电抗法测量时,应提供一个固定微调电容器。电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下该仪器广泛地用于科研机关,学校,工厂等单位。

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空气填充测微计电极当试样插人和不插人时,电容都能调节到同一个值 ,不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极.

因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至 低值,同样的道理。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利,杂质等对介电性能也有很大景响。

ω=σE2在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小J之间的相位关系J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为。

DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。

漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。

如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠。测试注意事项本仪器应水平安放以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。

偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物,偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为介质损耗小于10-4。高频线圈的Q值测量(基本测量法)高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。

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ω=σE2在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小J之间的相位关系J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为。

音频,高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时。满足标准:GBT1409-2006测量电气绝缘材料在工频当接近谐振点时请缓调必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

也就是在接人试样和不接试样两种状态下,调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥,变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联 T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作,就可采用保护电极,它没有其他网络的缺点。GDAT-A测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法。

工作频段选择/2按键,每按一次,切换至高一个频段工作,先按12键后,再按此键,功能为数字。

对于介质损耗因数的测量,这种类型的电极在高频下不能满足要求,除非试样的表面和金属板都非常平整。图 1所示的电极系统也要求试样厚度均匀

调谐回路残余电感值低至8nH,保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。

为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差。使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

明水涂层介电常数测定仪生产商

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好 。电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为。

能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

安全注意事项:开机之前,敬请仔细阅读本 使用指南,以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前,请阅读“安装与设置”,保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前,务必请有操作经验的人员进行指导,防止误操作造成意外事件的发生。电击危险确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电,防止在带电情况下,对人员或设备造成伤害。陶瓷材料的损耗。

被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差,被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上。

试样上不加电极

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。

ω=σE2在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小J之间的相位关系J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为。

Q值量程递减(手动方式时有效)/数字3按键,先按12键后,再按此键,功能为数字Q值量程递增(手动方式时有效)/数字4按键,先按12键后,再按此键,功能为数字。

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